Главная » Статьи » Железо » Оперативная память


DDR3 SDRAM для LGA 2011: какая память лучше?
Введение

  Появление платформы LGA 2011 поставило энтузиастов в достаточно непростое положение. С одной стороны эта платформа – лучшее с точки зрения производительности, что есть у Intel в данный момент для пользователей настольных систем. С другой стороны, как мы увидели в практических тестах, у этой платформы много недостатков, и компенсируются ли они выдаваемым LGA 2011-процессорами уровнем быстродействия – вопрос спорный. Дополнительным сдерживающим от перехода на LGA 2011 фактором выступает и «обособленность» этой платформы: она требует не только собственных процессоров и материнских плат, но и использования специальных систем охлаждения и четырёхканальной памяти. Конечно, в итоге LGA 2011-системы выглядят очень солидно, однако заслуживает ли эта солидность тех немалых финансовых вложений, на которые придётся пойти при их построении? Решение данной проблемы лежит не в плоскости объективных аргументов, привлекательность новой платформы – фактор в первую очередь эмоциональный. И если желание иметь компьютер, который можно будет считать «самым-самым», пересиливает голос разума, говорящий, что LGA 2011 системы далеко не идеальны с точки зрения соотношения цены и производительности, неэкономичны и просто непрактичны, то в этой ситуации мы можем только дать советы по выбору лучшей LGA 2011-матринской платы, наиболее эффективного кулера и оптимального комплекта памяти. Такие рекомендации в самое ближайшее время появятся в соответствующих разделах нашего сайта, мы же в рамках этого материала сосредоточимся на подборе оптимальной памяти для процессоров семейства Sandy Bridge-E.



  Тем более что проблема эта отнюдь не тривиальная. Платформа LGA 2011 – первая на десктопном рынке, использующая четырёхканальную архитектуру. И если раньше, в случае LGA 1155 и LGA 1366-систем, мы не обнаруживали особенно заметной зависимости производительности от частоты и задержек используемых модулей памяти, то теперь картина вполне может поменяться. Недаром же Intel добавила в своей новой платформе официальную поддержку более высоких частот памяти, плюс к чему разрешила и её разгон. С другой стороны, немало интересного таит в себе и сам реализованный в Sandy Bridge-E контроллер. Например, ранее мы обнаружили, что четыре канала почти не дают выигрыша по сравнению с двухканальным режимом и заключили, что в составе LGA 2011-систем вполне можно использовать и старые, оставшиеся от прошлых систем пары или тройки модулей DDR3 SDRAM. Однако в процессе дальнейших консультаций с представителями Intel нам удалось узнать некоторые тонкости в работе подсистемы памяти Sandy Bridge-E, в результате чего мы можем дать развёрнутое объяснение невысоких показателей четырёхканального контроллера в тестах практической пропускной способности. Впрочем, не будем забегать вперёд и поговорим о плюсах и минусах организации подсистемы памяти в LGA 2011-системах по-порядку.


Описание тестовых систем

В процессе подготовки этого материала мы проводили тестирование производительности различных конфигураций подсистемы памяти в системах на основе LGA 2011 и LGA 1155-процессоров. Для этого нами использовалось две платформы.



  Платформа LGA 2011:
  • Процессор: Core i7-3960X, разогнан до 4.4 ГГц (Sandy Bridge-E, 6 ядер, 1.5 Мбайт L2 + 15 Мбайт L3);
  • Материнская плата: ASUS P9X79 Pro (LGA2011, Intel X79 Express);
  • Память: G.Skill RipjawsZ F3-19200CL10Q-16GBZHD (4 x 4 Гбайта, DDR3-2400, 10-11-10-31).
  Платформа LGA 1155:
  • Процессор: Core i7-2700K, разогнан до 4.4 ГГц (Sandy Bridge, 4 ядра, 1 Мбайт L2 + 8 Мбайт L3);
  • Материнская плата: ASUS P8Z68-V PRO (LGA1155, Intel Z68 Express);
  • Память: Kingston HyperX KHX1866C9D3K2/8GX (2 x 4 Гбайта, DDR3-1866, 9-10-9-27).
При этом список общих на обе платформы аппаратных и программных средств выглядит следующим образом:
  • Графическая карта: EVGA GeForce GTX 580 Classified 3 GB (03G-P3-1588-AR);
  • Жёсткий диск: Crucial m4 256 GB (CT256M4SSD2);
Драйверы:
  • Intel Chipset Driver 9.2.3.1022;
  • Intel Management Engine Driver 7.1.21.1134;
  • Intel Rapid Storage Technology 10.6.0.1022;
  • NVIDIA GeForce 285.62 Driver.
Особенности контроллера памяти

LGA 2011-процессоры семейства Sandy Bridge-E – это прямые родственники обычных и хорошо знакомых нам Sandy Bridge. Тем не менее, определённые различия между ними есть, и обусловлены они в первую очередь тем, что Sandy Bridge-E – это в первую очередь решение для серверов и высокопроизводительных рабочих станций, которое затем было адаптировано и для использования в настольных системах верхнего уровня. Именно поэтому в Sandy Bridge-E нет встроенного графического ядра, зато на полупроводниковом кристалле предусматривается до восьми вычислительных ядер, контроллер шины QPI, контроллер шины PCI Express с поддержкой до 40 линий и главный герой этой статьи – четырёхканальный контроллер памяти. Те же процессоры семейства Core i7 в LGA 2011-исполнении, которые интересны пользователям десктопов, хотя и относятся к классу Sandy Bridge-E, но всё же представляют собой несколько урезанные и упрощённые их модификации. В них число ядер ограничено шестью, контроллер QPI отключен, а контроллер памяти подрихтован для приведения в соответствие с потребностями пользователей настольных систем.


Применительно к контроллеру памяти Sandy Bridge-E это означает, что изначально он ориентировался на поддержку регистровых и Load-Reduce модулей памяти, позволяя установку до трёх DIMM в каждый из четырёх каналов. Таким образом, разработчики Intel намеревались удовлетворить потребности производителей серверов в установке больших объёмов памяти без использования так и не завоевавших популярности решений типа FB-DIMM. Однако энтузиастов такие конфигурации вряд ли бы устроили – регистровые модули дороже обычных, а их производительность – ниже. К тому же возможность установки до двенадцати модулей DDR3 DIMM вряд ли можно назвать положительным свойством для настольной платформы. На рынке широкодоступны модули DDR3-памяти ёмкостью до 8 Гбайт, так что даже четырёх слотов DIMM на десктопной материнской плате более чем достаточно.



  Поэтому в процессорах Sandy Bridge-E семейства Core i7 используется специально переделанный под потребности энтузиастов контроллер памяти. Он сохранил в себе определённые черты серверного решения, но, самое главное, получил совместимость с привычными для обычных пользователей небуферизованными DDR3 DIMM. При этом главное его свойство – четырёхканальность – сохранилась. Однако количество гарантированно поддерживаемых в каждом канале модулей сократилось до одного двухбанкового. Заметьте, несмотря на то, что многие производители материнских плат устанавливают на свои продукты по восемь разъёмов DIMM, Intel не гарантирует работоспособность более чем одного модуля памяти на канал, что, в теории, способно порождать определённые проблемы со стабильностью в конфигурациях, использующих одновременно восемь двухсторонних плашек памяти.



  Согласно официальной спецификации, процессоры Core i7 для LGA 2011-систем поддерживают DDR3-1067/1333/1600 SDRAM, а при разгоне могут работать и с более скоростными модулями. Как видим, Intel подняла частоту официально совместимой с новыми процессорами памяти, что вкупе с увеличением количества каналов даёт титанический прирост теоретической пропускной способности. Однако увидеть столь впечатляющий скачок производительности работы подсистемы памяти на практике будет не так уж просто. Главной целью реализации четырёхканального доступа к памяти было отнюдь не увеличение её быстродействия. Современные процессоры Sandy Bridge-E обладают вместительным кэшем, который сглаживает влияние скорости работы подсистемы памяти на общую производительность системы. Наращивать же её пропускную способность имеет смысл лишь для небольшого числа реальных задач, нуждающихся в потоковом доступе к огромным объёмам данных. Поэтому в первую очередь четырёхканальность направлена на увеличение количества поддерживаемых DIMM-слотов, что даёт производителям серверов и высокопроизводительных рабочих станций возможность комплектовать свои системы гигантскими объемами памяти, тем более что стоимость DDR3 в настоящее время упала до неприличия. Оптимизация же быстродействия четырёхканального контроллера памяти отошла при этом на второй план и выполнялась лишь с прицелом на многопоточные серверные нагрузки.



  Всё это – достаточно печальные для пользователей настольных систем новости. Учитывая, что большинство десктопных задач не использует многопоточный доступ к памяти, реального прироста быстродействия в работе с данными при переходе от двухканального контроллера Sandy Bridge к четырёхканальному контроллеру Sandy Bridge-E можно и не заметить. Именно на этот казус мы и обратили внимание во время нашей первой встречи с новой платформой LGA 2011. Измеренная обычными утилитами для тестирования подсистемы памяти практическая пропускная способность четырёхканальной DDR3 SDRAM в LGA 2011-системах практически не отличается от результатов двухканальной памяти в платформах с LGA 1155 процессором. В качестве иллюстрации приведём результаты тестов практической пропускной способности и латентности работающей в двух-, трёх- и четырёхканальном режиме подсистемы памяти Sandy Bridge-E ещё раз и сопоставим полученные величины с аналогичными показателями, снятыми в системе с процессором Sandy Bridge и двухканальной памятью. В обеих платформах мы устанавливали частоту процессоров на 4.4 ГГц, а память конфигурировали в режиме DDR3-1867 с задержками 9-11-9-27-1T. Для измерений использовалась утилита AIDA64 Cache & Memory Benchmark.








Результаты, приведённые на диаграмме, кажутся парадоксальными. Мало того, что двухканальный контроллер памяти Sandy Bridge выдаёт более высокие показатели практической пропускной способности и более низкую практическую латентность, так и к тому же в платформе на базе Sandy Bridge-E не видно роста производительности памяти при увеличении числа задействованных каналов. Однако в этом нет никакой ошибки, а выбранный тест функционирует абсолютно правильно. Дело просто в том, что в данном случае используется однопоточный алгоритм, который не даёт раскрыть преимущества контроллера памяти Sandy Bridge-E. В случае простых однопоточных обращений к памяти четырёхканальный контроллер действительно работает не лучше двухканального.



  В качестве альтернативы мы можем предложить результаты теста памяти из пакета SiSoftware Sandra 2011, в котором используется иной алгоритм, генерирующий многопоточные обращения.




Тут ситуация диаметрально противоположна. Задействование четырёхканального доступа к памяти действительно позволяет добиться почти двукратного роста практической пропускной способности по сравнению с двухканальным режимом. И в этом тесте превосходство Sandy Bridge-E над обычным Sandy Bridge в практической пропускной способности памяти заметно очень хорошо. Однако в практической латентности снова преимущества нет, что, впрочем, вполне естественно.



  Более интересную и познавательную картину можно получить, если воспользоваться каноническим мультиплатформенным бенчмарком Stream, который позволяет померить реальную пропускную способность памяти при произвольном количестве параллельных обращений.


Как видно по результатам, старый двухканальный контроллер Sandy Bridge демонстрирует максимальную пропускную способность уже на однопоточных обращениях к памяти. И дальнейшее увеличение числа потоков, работающих с подсистемой памяти, к изменениям в практической пропускной способности не приводит. С Sandy Bridge-E ситуация совершенно иная. Контроллер памяти, встроенный в этот процессор, с ростом нагрузки сильно увеличивает свою эффективность. Даже в том случае, если он используется в двухканальном режиме, мы наблюдаем существенный прирост скорости при переходе от однопоточного и двухпоточного к четырёхпоточному обращению. Если же задействуются все четыре канала памяти, то рост быстродействия при увеличении уровня параллелизма нагрузки может достигать троекратного размера. И, в результате, наблюдаемая скорость подсистемы памяти в LGA 2011-системе может превышать аналогичный показатель, измеренный в платформе с LGA 1155-процессором, почти в два раза.



  Лучшей иллюстрации для раскрытия особенностей контроллера памяти LGA 2011-процессоров и желать не приходится. Совершенно очевидно, что его изначальная оптимизация на сервера и высокопроизводительные рабочие станции накладывает существенный отпечаток на то, в каких условиях его сильные стороны выходят наружу. Теоретическая пропускная способность четырёхканальной памяти, действительно, выглядит впечатляюще, но раскрыть её на практике в десктопной LGA 2011-системе можно лишь в том случае, если обмен данными выполняется в несколько потоков. В стандартных же однопоточных алгоритмах подсистема памяти Sandy Bridge-E работает даже медленнее, чем в LGA 1155-платформах.


Количество каналов памяти и производительность

Как мы убедились воочию, установка в LGA 2011-системах модулей памяти во все четыре канала может и не давать прироста производительности по сравнению с ситуациями, когда подсистема памяти сконфигурирована в двух- или трёхканальном режиме. Для того, чтобы эффект от многоканальности контроллера памяти Sandy Bridge-E выливался в реальные показатели быстродействия, нагрузка на память должна носить многоканальный характер. В теории всё понятно, но как обстоит дело на практике? Какой характер обращений осуществляют типичные десктопные задачи? Чтобы ответить на этот вопрос мы ещё раз протестировали систему с LGA 2011 процессором и DDR3-1867 SDRAM, работающей в двух- трёх- и четырёхканальном режиме, в распространённых общих бенчмарках. Для того чтобы получить ясное представление об относительном падении производительности при уменьшении числа каналов памяти, полученные результаты дополнены показателями производительности той же самой LGA 2011-платформы, но укомплектованной более медленной четырёхканальной DDR3-1600 SDRAM, работающей с аналогичными таймингами CL9.



  Но начать же, пожалуй, стоит с результатов бенчмарка Stream – этот тест как нельзя лучше показывает, на что способна та или иная конфигурация подсистемы памяти в идеальных условиях.




Как можно судить по результатам, выбывание одного из каналов памяти при многопоточной нагрузке оказывается примерно вдвое хуже понижения на 266 МГц частоты ёе работы. То же самое можно сказать, опираясь и на данные теоретической пропускной способности. Четырёхканальная DDR3-1867 SDRAM обеспечивает полосу пропускания 59.7 Гбайт/сек, трёхканальная – 44.8 Гбайт/сек. Четырёхканальная же DDR3-1600 SDRAM может обеспечить пропускную способность до 51.2 Гбайт/сек. Однако не следует забывать, что DDR3-1867, вне зависимости от числа задействованных каналов, обеспечивает преимущество в латентности.



  Давайте посмотрим теперь на результаты комплексных тестов.






















Самый главный вывод, который можно сделать, глядя на приведённые графики, состоит в том, что уменьшение количества каналов памяти в LGA 2011 на самом деле не приводит ни к каким катастрофическим последствиям. Да, производительность снижается, но в среднем в пределах 1-2 %, что вряд ли можно заметить в реальной жизни. Более того, как это ни удивительно, но снижение частоты работы памяти почти всегда приводит к более серьёзному падению производительности, чем уменьшение «канальности» доступа. Иными словами, если вы уже располагаете скоростным двух- или трёхканальным комплектом DDR3 SDRAM, то менять его с прицелом на LGA 2011-систему на четырёхканальный набор модулей имеет смысл лишь в том случае, если при этом не ухудшается частота памяти. В противном случае высокочастотная DDR3 SDRAM обеспечит более высокую производительность в большинстве приложений даже несмотря на меньшее число задействованных каналов.



  Фактически, единственным тестом, в котором мы реально увидели достоинства четырёхканального доступа, оказался синтетический восьмипоточный Stream. И это недвусмысленно говорит о том, что реальные десктопные приложения недостаточно параллелизуют работу с памятью для того, чтобы оптимизированный для серверных нагрузок контроллер Sandy Bridge-E проявил все свои сильные стороны.


Разгон DDR3 SDRAM в LGA 2011-системах

Обычные процессоры Sandy Bridge официально поддерживают DDR3-1067 и DDR3-1333 SDRAM. В процессорах Sandy Bridge-E производитель дополнительно добавил к этим режимам официальную поддержку DDR3-1600. Однако и в LGA 1155, и в LGA 2011 процессорный контроллер памяти имеет более широкий набор делителей, позволяющих тактовать память и на более высоких частотах. Если говорить о Sandy Bridge-E, то этот CPU совершенно свободно позволяет выставить на памяти частоты DDR3-1867, DDR3-2133 или даже DDR3-2400. Примерно такая же ситуация была и с LGA 1155 системами, но в LGA 2011 добавилась ещё одна возможность – изменение опорной частоты тактового генератора.


В отличие от LGA 1155-систем, в платформе LGA 2011 применяется усовершенствованная схема тактования процессора и обвязки, делающая доступной для пользователя установку значения опорной частоты не только в стандартные 100 МГц, но и в 125 или 166 МГц. Частоты работы контроллеров и шин в системе при этом не изменяются, но процессор, включая все входящие в него блоки, пропорционально разгоняется. Соответственно, это относится и к контроллеру памяти – выбор более высоких значений частоты базового тактового генератора увеличивает множество доступных частот памяти.


Таким образом, платформа LGA 2011 позволяет разгонять память гибче, нежели платформа LGA 1155. Например, задействуя дополнительные значения опорной частоты, можно получать частоты памяти с меньшим, чем 266 МГц, шагом. Кроме того, доступна и установка более высоких, чем ранее, частот. При этом использование высокоскоростной DDR3 SDRAM не сопряжено ни с какими особенными трудностями. При наличии в системе четырёх DIMM-модулей в большинстве случаев вообще без каких-либо ухищрений будут доступны режимы вплоть до DDR3-1867, использование же восьми модулей, скорее всего, понизит эту планку до DDR3-1600.



  Впрочем, даже если дело и дойдёт до необходимости «ухищрений», ничего экстраординарного они не подразумевают. Для достижения стабильности на повышенных частотах работы памяти может потребоваться подъём питающих напряжений либо на контроллере памяти (VTT), либо на процессорном системном агенте (VCCSA), либо и там, и там. Производители оверклокерской памяти рекомендуют, а иногда даже и записывают в профили XMP достаточно высокие значения таких напряжений, и это, действительно, хорошо помогает при разгоне. Однако в процессе консультаций с Intel нам удалось выяснить, что полностью безопасным для повседневного использования в режиме 24/7 можно считать лишь повышение напряжения VCCSA до 1.1 В, и VTT – до 1.2 В. Кроме того, остаётся в силе и рекомендация об установке напряжения на памяти не выше 1.65 В, в противном случае дело может закончиться деградацией контроллера памяти и выходом процессора из строя. Но даже если не прибегать к выбору «рисковых» параметров, частота памяти DDR3-2133 достижима почти всегда.



  В связи с этим нельзя не упомянуть, что производители оверклокерской памяти встретили появление платформы LGA 2011 с большим энтузиазмом. В ассортименте многих компаний появилась не только четырёхканальная DDR3-2133, но и DDR3-2400 память. Однако приобретение совсем высокоскоростных модулей может иметь реальный смысл исключительно в целях бенчмаркинга. Например, для использования DDR3-2400, скорее всего, потребуется установка потенциально небезопасных напряжений, плюс к чему, при такой частоте памяти способны функционировать далеко не все материнские платы. Зато с DDR3-2133, проблем, вероятно, не будет, и такую память вполне можно смело приобретать для современных высокопроизводительных десктопов.


Память для тестирования: G.Skill RipjawsZ F3-192000CL10Q-16GBZHD

Какую память выбрать для тестирования производительности LGA 2011 системы при различных установках её частоты и задержек, размышлять долго не потребовалось. Компания G.Skill выпустила высокоскоростные четырёхканальные наборы DDR3 SDRAM для Sandy Bridge-E одной из первых, и когда представители этой фирмы сами обратились к нам с предложением ознакомиться с их новым продуктом – отказываться мы не стали. В результате, в адрес нашей лаборатории прибыл четырёхканальный комплект DDR3-2400 SDRAM со штатными таймингами 10-11-10-31 общим объёмом 16 Гбайт. Как нетрудно догадаться, этот набор включает четыре модуля ёмкостью 4 Гбайта.

Полные формальные спецификации этого комплекта, имеющего артикул F3-192000CL10Q-16GBZHD, выглядят следующим образом:
  • Двухканальный комплект состоит из четырёх модулей по 4 Гбайта каждый;
  • Номинальная частота: 2400 МГц;
  • Тайминги: 10-11-10-31-2T;
  • Рабочее напряжение 1.65 В.
Модули с двух сторон закрыты фирменными алюминиевыми теплорассеивателями Ripjaws чёрного цвета, а дополнительно с комплектом поставляется пара устанавливаемых на слоты DIMM рамок с вентиляторами, предназначенными для обдува модулей во время работы. Столь сложная система охлаждения – это, скорее, дань маркетингу. По практическому опыту, нужды в столь мощном принудительном обдуве модулей памяти нужды нет, греются они не слишком сильно. А вот используемую G.Skill конфигурацию радиаторов хочется похвалить отдельно: в отличие от многих других производителей, G.Skill применяет фигурные алюминиевые пластины достаточно небольшой высоты, не конфликтующие с распространёнными массивными воздушными процессорными системами охлаждения. Так, полная высота модулей составляет всего лишь 41 мм.


Для обеспечения простоты установки и конфигурирования модули G.Skill RipjawsZ F3-192000CL10Q-16GBZHD снабжены поддержкой технологии XMP 1.3. В единственном подготовленном XMP-профиле содержатся номинальные задержки и сведения о необходимости повышения напряжения VCCSA до 1.2 В. Следует отметить, что для обеспечения работоспособности рассматриваемых модулей на частоте 2400 МГц, конечно же, потребуется и повышение напряжения VTT, но, к сожалению, прописать эту настройку в XMP для её применения в автоматическом режиме не представляется возможным. Поэтому формула «воткнул – и работай» в случае с рассматриваемой памятью не проходит, требуется дополнительная подстройка напряжения VTT.


В основе большинства оверклокерских модулей памяти RipjawsZ, в том числе и полученных нами на тестирование, лежат специально отобранные чипы Hynix H5TQ2G83BFR-H9C. На данный момент – это достаточно экзотичное решение, но, судя по всему, такие чипы будут находить всё более широкое распространение, так как они, как мы видим, могут работать на очень высоких частотах, не уступая популярным Powerchip и Elpida Hyper.



  На данный момент G.Skill готов подтвердить работоспособность своей памяти в режиме DDR3-2400 на четырёх популярных материнских платах: ASUS Rampage IV Extreme, ASUS P9X79 DELUXE, ASRock X79 Extreme 4 и MSI X79A-GD45. Как оказалось, список этот совсем не формален и на других платах, действительно, возможны проблемы. Например, на нашей тестовой плате ASUS P9X79 Pro мы заставить стабильно работать эти модули на положенной частоте не смогли, поэтому в тестах производительности нам пришлось ограничиться лишь режимом DDR3-2133.


Влияние таймингов и частоты памяти на производительность

Тем временем мы подошли к кульминационной части нашего материала: выяснению того, что же важнее для подсистемы памяти в платформе LGA 2011 – низкие тайминги или высокая частота. Этот вопрос неминуемо возникает при выходе каждой новой платформы, возник он и в этот раз. Все предшествующие интеловские платформы, использующие DDR3 SDRAM, благосклоннее относились к росту частоты работы памяти, а не к уменьшению задержек, но в случае с Sandy Bridge-E ситуация несколько иная. Этот CPU использует четырёхканальную память, которая обеспечивает высочайшую пропускную способность сама по себе, и, вполне возможно, дополнительное увеличение частоты работы модулей DDR3 окажется ни к чему. Именно поэтому к тестированию мы приступали с нескрываемым интересом.



  В первую очередь в дело пошли синтетические тесты.








Увеличение частоты работы DDR3 SDRAM позволяет поднять показатели практической пропускной способности и уменьшить практическую латентность. Уменьшение задержек также вызывает подобный эффект, но, по данным AIDA64 Cache & Memory Benchmark, он существенно слабее, чем при разгоне памяти по частоте.



  Впрочем, как было выяснено ранее, бенчмарк AIDA не может похвастать «правильным» измерением характеристик контроллера памяти Sandy Bridge-E. Поэтому, дополнительно мы воспользовались и бенчмарком Stream в режимах с одним и восемью потоками.




Замена тестового инструментария только подтверждает сказанное выше. Практическая пропускная способность памяти при увеличении её частоты продолжает уверенно расти, и величина этого прироста превосходит тот эффект, которого можно добиться снижением таймингов. Так что, похоже, никаких принципиально новых зависимостей производительности от параметров подсистемы памяти в платформе LGA 2011 нам выявить не удастся.



  А вот что можно получить в тестах, измеряющих комплексное быстродействие системы.






















Частота модулей DDR3 памяти – более важная для конечной производительности характеристика, чем её задержки. Теперь это можно утверждать с полной уверенностью. Даже улучшение таймингов в полтора раза (на примере DDR3-1333) приводит лишь к росту производительности в среднем на 1.6 %, в то время как увеличение частоты памяти на один 266-мегагерцовый шаг вызывает прирост средневзвешенного быстродействия на уровне 1.9 %. Впрочем, и то, и другое – достаточно скромные показатели, заставляющие в очередной раз говорить о том, что характеристики подсистемы памяти влияют на скорость работы компьютера достаточно слабо. Даже такая, казалось бы, весомая модернизация, как смена четырёхканальной DDR3-1333 на четырёхканальную же DDR3-2133, способна принести лишь 4-процентный прирост скорости (в среднем). Конечно, существуют задачи, для которых быстрая память может иметь большее значение, но даже в отличающемся особенной чуткостью архиваторе WinRAR выигрыш от увеличения частоты памяти на 60 % составляет лишь 15 %.


Выводы

Проведённое исследование контроллера памяти новых процессоров семейства Sandy Bridge-E дало неожиданные и в то же время любопытные результаты. Как оказалось, на этот раз Intel реализовала принципиально новый подход к оптимизации работы с памятью. Суть этого подхода состоит в том, что новый четырёхканальный контроллер DDR3 SDRAM адаптирован не для однопоточной, а для многопоточной нагрузки, больше характерной для серверов и высокопроизводительных рабочих станций. Поэтому в традиционных десктопных тестах контроллер памяти процессоров Sandy Bridge-E выглядит не слишком здорово, но в специализированных бенчмарках типа Stream новинка поражает воображение непревзойдёнными показателями практической пропускной способности.



  Для конечных же пользователей настольных систем это скорее плохая новость. Большинство типичных приложений, исполняемых на десктопных компьютерах, не обращаются к памяти в несколько потоков. Поэтому в реальности мы наблюдаем парадоксальную ситуацию, когда четырёхканальный доступ приносит лишь мизерные дивиденды, если приносит вообще. Хотя это и кажется невероятным, но устанавливая в систему с LGA 2011-процессором двухканальный или трёхканальный комплект модулей DDR3 SDRAM, можно получить практически точно такую же производительность, как и в случае применения специализированной четырёхканальной памяти.



  Это может быть весьма полезным следствием для тех пользователей, которые при переходе на LGA 2011 не хотят обновлять старую, оставшуюся от предыдущих систем, память. Потеря в производительности в случае отказа от четырёхканального доступа совсем не существенна.



  На первом же по важности месте находится частота работы DDR3 SDRAM. Этот параметр влияет на итоговую производительность сильнее, чем число каналов и существенно сильнее, чем задержки. Поэтому, выбирая подходящую память для новых LGA 2011-систем, следует обращать внимание именно на эту характеристику. Собственно, это уже далеко не новость – подобные приоритеты действовали и для других платформ, использующих DDR3 SDRAM. Подобным «сокровенным» знанием обладают и производители комплектов памяти для энтузиастов, сосредоточившиеся на покорении высоких частот и отказавшиеся от погони за низкими задержками.



  Платформа LGA 2011 весьма поощрительно относится к разгону памяти и позволяет добиваться стабильности при достаточно высоких частотах на DDR3. В эпоху необузданного падения цен на модули DIMM это – хорошая возможность для производителей, которые могут подзаработать на более дорогих элитных оверклокерских комплектах DDR3. Однако не стоит покупаться на агрессивную рекламу. Важность высокой частоты работы памяти, о которой мы говорили выше, – понятие относительное. На самом деле, как и ранее, итоговая производительность Sandy Bridge-E зависит от частоты памяти весьма опосредовано, и установка в систему самой-самой скоростной памяти может привести лишь к небольшому проросту скорости в пределах единиц процентов. Так что траты на дорогую и скоростную память стоит отложить на потом, когда все иные составляющие системы уже доведены до идеального состояния.
Категория: Оперативная память | Добавил: NIK (05.01.2012)
Просмотров: 3247 | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.
[ Регистрация | Вход ]

Форма входа

Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0
Новые файлы
[21.12.2011]
Alizee
[21.12.2011]
Avril Lavigne
[21.12.2011]
Mylene Farmer
[21.12.2011]
Lafee
[21.12.2011]
Najoua Belyzel